Name: IRLL110TRPBF-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-IRLL110TRPBF-BE3TR-ND
Price: 11.0454 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRLL110TRPBF-BE3
Numer produktu DigiKey	742-IRLL110TRPBF-BE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-IRLL110TRPBF-BE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-IRLL110TRPBF-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	IRLL110TRPBF-BE3
Opis	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	49 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 1,5A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-223
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 6.1 nC @ 5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±10V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 250 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2W (Ta), 3,1W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1,5A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-223
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4V, 5V	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 540mOhm przy 900mA, 5V	Bazowy numer produktu IRLL110