Kanał N 200 V 5,2A (Tc) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRL620

Numer produktu DigiKey
IRL620-ND
Producent
Vishay Siliconix
Numer produktu producenta
IRL620
Opis
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 200 V 5,2A (Tc) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRL620 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Vishay Siliconix
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
5,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4V, 5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
800mOhm przy 3,1A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
360 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
50W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Bazowy numer produktu
IRL620
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany.