IRFZ48PBF nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny


Vishay Siliconix
W magazynie: 888
Cena jednostkowa : 13,80000 zł
Arkusz danych

Bezpośrednie


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,65152 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 6,08000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 3,88557 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,10897 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 1 155
Cena jednostkowa : 6,30000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 259
Cena jednostkowa : 14,86000 zł
Arkusz danych

Similar


Nexperia USA Inc.
W magazynie: 570
Cena jednostkowa : 12,77000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 1 803
Cena jednostkowa : 11,16000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 29 526
Cena jednostkowa : 6,73000 zł
Arkusz danych
SIHP23N60E-GE3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFZ48PBF

Numer produktu DigiKey
IRFZ48PBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRFZ48PBF
Opis
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 60 V 50A (Tc) 190W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRFZ48PBF Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
18mOhm przy 43A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
190W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220AB
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
113,80000 zł13,80 zł
506,98400 zł349,20 zł
1006,32480 zł632,48 zł
5005,16960 zł2 584,80 zł
1 0004,79852 zł4 798,52 zł
2 0004,57043 zł9 140,86 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:13,80000 zł
Cena jednostkowa z VAT:16,97400 zł