IRFP21N60LPBF jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
W magazynie: 203
Cena jednostkowa : 34,74000 zł
Arkusz danych

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 74
Cena jednostkowa : 21,97000 zł
Arkusz danych

Similar


Microchip Technology
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 48,82650 zł
Arkusz danych

Similar


Microchip Technology
W magazynie: 20
Cena jednostkowa : 47,95000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 27,73000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 15,10523 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 715
Cena jednostkowa : 27,88000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 4
Cena jednostkowa : 47,98000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 295
Cena jednostkowa : 100,73000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 23
Cena jednostkowa : 29,79000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 296
Cena jednostkowa : 82,32000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 136
Cena jednostkowa : 21,02000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 21A (Tc) 330W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFP21N60LPBF

Numer produktu DigiKey
IRFP21N60LPBF-ND
Producent
Numer produktu producenta
IRFP21N60LPBF
Opis
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 21A (Tc) 330W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AC
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRFP21N60LPBF Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
320mOhm przy 13A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
4000 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
330W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AC
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.