Name: IRFL210TRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFL210TRPBFTR-ND
Price: 11.0454 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFL210TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFL210TRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFL210TRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFL210TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	IRFL210TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 960mA (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-223
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8.2 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 140 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2W (Ta), 3,1W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 960mA (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-223
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,5Ohm przy 580mA, 10V	Bazowy numer produktu IRFL210