Name: IRFL110TRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFL110PBFTR-ND
Price: 10.4181 PLN
Availability: OutOfStock

IRFL110TRPBF nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

Vishay Siliconix

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 8,47000 zł

Similar

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 9,37000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRFL110TRPBF
Numer produktu DigiKey	IRFL110PBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRFL110PBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRFL110PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	IRFL110TRPBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	31 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 1,5A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-223
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFL110TRPBF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8.3 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 180 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2W (Ta), 3,1W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1,5A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-223
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 540mOhm przy 900mA, 10V	Bazowy numer produktu IRFL110