Name: IRFI640GPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFI640GPBF-ND
Price: 21.5988 PLN
Availability: OutOfStock

IRFI640GPBF
Numer produktu DigiKey	IRFI640GPBF-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	IRFI640GPBF
Opis	MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	31 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 9,8A (Tc) 40W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRFI640GPBF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9,8A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	180mOhm przy 5,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1300 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	40W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet, wypustka izolowana
Bazowy numer produktu	IRFI640

Cena jednostkowa bez VAT:	17,56000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	21,59880 zł

IRFI640GPBF