


IRFBE30SPBF | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IRFBE30SPBF-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IRFBE30SPBF |
Opis | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 4,1A (Tc) 125W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IRFBE30SPBF Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 3Ohm przy 2,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 78 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1300 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 125W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263 (D2PAK) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 15,33000 zł | 15,33 zł |
| 50 | 7,83720 zł | 391,86 zł |
| 100 | 7,11160 zł | 711,16 zł |
| 500 | 5,84016 zł | 2 920,08 zł |
| 1 000 | 5,43187 zł | 5 431,87 zł |
| 2 000 | 5,27333 zł | 10 546,66 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 15,33000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 18,85590 zł |

