
IRFBE20PBF | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IRFBE20PBF-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IRFBE20PBF |
Opis | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 55 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 1,8A (Tc) 54W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IRFBE20PBF Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 6,5Ohm przy 1,1A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 38 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 530 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 54W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220AB | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 12,28000 zł | 12,28 zł |
| 50 | 6,13520 zł | 306,76 zł |
| 100 | 5,53880 zł | 553,88 zł |
| 500 | 4,49332 zł | 2 246,66 zł |
| 1 000 | 4,15736 zł | 4 157,36 zł |
| 2 000 | 3,87500 zł | 7 750,00 zł |
| 5 000 | 3,58631 zł | 17 931,55 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 12,28000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 15,10440 zł |

