Name: IRF9510STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF9510STRLPBFTR-ND
Price: 13.1118 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF9510STRLPBF
Numer produktu DigiKey	IRF9510STRLPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF9510STRLPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF9510STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	IRF9510STRLPBF
Opis	MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	43 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 4A (Tc) 3,7W (Ta), 43W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF9510STRLPBF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8.7 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 200 pF @ 25 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 3,7W (Ta), 43W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,2Ohm przy 2,4A, 10V	Bazowy numer produktu IRF9510

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 27 190

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)