Name: IRF610LPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF610LPBF-ND
Price: 3.59383 PLN
Availability: OutOfStock

IRF610LPBF jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.

Dostępne zamienniki:

Similar

FQP4N20L

onsemi

W magazynie: 52

Cena jednostkowa : 6,37000 zł

Arkusz danych

Similar

IPP023N04NGXKSA1

Infineon Technologies

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Arkusz danych

Similar

IPP039N04LGXKSA1

Infineon Technologies

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 2,48170 zł

Arkusz danych

Similar

IPP041N04NGXKSA1

Infineon Technologies

W magazynie: 56

Cena jednostkowa : 5,86000 zł

Arkusz danych

Similar

IPP042N03LGXKSA1

Rochester Electronics, LLC

W magazynie: 1 939

Cena jednostkowa : 3,33061 zł

Arkusz danych

Similar

IPP12CN10LGXKSA1

Rochester Electronics, LLC

W magazynie: 50 640

Cena jednostkowa : 4,02601 zł

Arkusz danych

Similar

IPP60R099CPXKSA1

Infineon Technologies

W magazynie: 2 703

Cena jednostkowa : 26,10000 zł

Arkusz danych

Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF610LPBF
Numer produktu DigiKey	IRF610LPBF-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	IRF610LPBF
Opis	MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 3,3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Otwór przelotowy I2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,3A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5Ohm przy 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	140 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	I2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-262-3 długie odpr., I2PAK, TO-262AA
Bazowy numer produktu	IRF610

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania

Sprawdź czas realizacji

Ten produkt nie znajduje się w magazynie DigiKey. Ukazany czas realizacji dotyczy wysyłki od producenta do firmy DigiKey. Po otrzymaniu produktu, DigiKey dokona wysyłki w celu realizacji otwartych zamówień.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	2,92181 zł	2 921,81 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.