Name: IRF510STRRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF510STRRPBFTR-ND
Price: 9.1389 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF510STRRPBF
Numer produktu DigiKey	IRF510STRRPBFTR-ND - Taśma i szpula (TR) IRF510STRRPBFCT-ND - Taśma cięta (CT) IRF510STRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	IRF510STRRPBF
Opis	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 5,6A (Tc) 3,7W (Ta), 43W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5,6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	540mOhm przy 3,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	180 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263 (D2PAK)
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IRF510