2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

2N7002E-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	2N7002E-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 2N7002E-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 2N7002E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	2N7002E-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Montaż powierzchniowy TO-236
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	240mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3Ohm przy 250mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	21 pF @ 5 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	350mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-236
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	2N7002