Name: VSS8D3M10-M3/H
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VSS8D3M10-M3/HTR-ND
Price: 2.0295 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

VSS8D3M10-M3/H
Numer produktu DigiKey	112-VSS8D3M10-M3/HTR-ND - Taśma i szpula (TR) 112-VSS8D3M10-M3/HCT-ND - Taśma cięta (CT) 112-VSS8D3M10-M3/HDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numer produktu producenta	VSS8D3M10-M3/H
Opis	DIODE SCHOTTK 100V 2.1A SLIMSMAW
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 100 V 2,1A Montaż powierzchniowy SlimSMAW (DO-221AD)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze
Prod.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Seria	eSMP®, TMBS®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	Dioda Schottky'ego
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	100 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)	2,1A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	550 mV @ 1.5 A
Prędkość	Szybkie odtworzenie stanu zdatności =< 500ns, > 200mA (Io)
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	200 µA @ 100 V
Pojemność przy Vr, F	340pF przy 4V, 1MHz
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	DO-221AC, płaskie odprowadzenia SMA
Obudowa dostawcy urządzenia	SlimSMAW (DO-221AD)
Temperatura robocza - złącze	-40°C - 175°C
Bazowy numer produktu	S8D3