Name: VS-GT200TS065N
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-GT200TS065N-ND
Price: 394.092 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

VS-GT200TS065N
Numer produktu DigiKey	112-VS-GT200TS065N-ND
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numer produktu producenta	VS-GT200TS065N
Opis	IGBT MOD 650V 193A INTA-PAK IGBT
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT Moduł Wykop Falownik półmostka 650 V 193 A 517 W Montaż na podstawie montażowej INT-A-PAK IGBT
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Seria	FRED Pt®
Opakowanie	Skrzynka
Status części	Aktywny
Typ IGBT	Wykop
Konfiguracja	Falownik półmostka
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	650 V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	193 A
Moc - maks.	517 W
Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic	2,3V przy 15V, 200A
Prąd - graniczny kolektora (maks.)	100 µA
Wejście	Standard
Termistor NTC	Brak
Temperatura robocza	-40°C - 175°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż na podstawie montażowej
Obudowa / skrzynia	Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia	INT-A-PAK IGBT