VS-E5TH3012-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Półprzewodniki dyskretne

VS-E5TH3012-N3 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 11,82000 zł

Odpowiednik parametryczny

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

W magazynie: 496

Cena jednostkowa : 15,66000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

VS-E5TH3012-N3
Numer produktu DigiKey	VS-E5TH3012-N3-ND
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numer produktu producenta	VS-E5TH3012-N3
Opis	DIODE STANDARD 1200V 30A TO220AC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 1200 V 30A Otwór przelotowy TO-220AC

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze
Prod.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Seria	FRED Pt®
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Technologia	Standard
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	1200 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)	30A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	2.3 V @ 30 A
Prędkość	Szybkie odtworzenie stanu zdatności =< 500ns, > 200mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)	113 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	50 µA @ 1200 V
Pojemność przy Vr, F	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220AC
Temperatura robocza - złącze	-55°C - 175°C
Bazowy numer produktu	E5TH3012