VS-C10ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Półprzewodniki dyskretne

VS-C10ET07T-M3 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Panjit International Inc.

W magazynie: 1 961

Cena jednostkowa : 12,52000 zł

Odpowiednik parametryczny

Panjit International Inc.

W magazynie: 2 000

Cena jednostkowa : 14,35000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

VS-C10ET07T-M3
Numer produktu DigiKey	751-VS-C10ET07T-M3-ND
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numer produktu producenta	VS-C10ET07T-M3
Opis	DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 650 V 10A Otwór przelotowy TO-220AC

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze
Prod.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Technologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)	10A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	1.8 V @ 10 A
Prędkość	Szybkie odtworzenie stanu zdatności =< 500ns, > 200mA (Io)
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	55 µA @ 650 V
Pojemność przy Vr, F	430pF przy 1V, 1MHz
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220AC
Temperatura robocza - złącze	-55°C - 175°C
Bazowy numer produktu	C10ET07