Name: VS-50MT060PHTAPBF
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-50MT060PHTAPBF-ND
Price: 327.1431 PLN
Availability: InStock

IGBT Moduł Ogranicznik pola wykopu Półmostek 600 V 121 A 305 W Otwór przelotowy 12-MTP

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

VS-50MT060PHTAPBF
Numer produktu DigiKey	112-VS-50MT060PHTAPBF-ND
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numer produktu producenta	VS-50MT060PHTAPBF
Opis	IGBT MOD 600V 121A 305W 12-MTP
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT Moduł Ogranicznik pola wykopu Półmostek 600 V 121 A 305 W Otwór przelotowy 12-MTP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Moduły IGBT	Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic 1,64V przy 15V, 50A
Producent Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Prąd - graniczny kolektora (maks.) 100 µA
Seria HEXFRED®	Pojemność wejściowa (Cies) przy Vce 6000 pF @ 25 V
Opakowanie Zbiorcze	Wejście Standard
Status części Aktywny	Termistor NTC Tak
Typ IGBT Ogranicznik pola wykopu	Temperatura robocza -40°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja Półmostek	Typ mocowania Otwór przelotowy
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.) 600 V	Obudowa / skrzynia Moduł 12-MTP
Prąd - kolektora (Ic) (maks.) 121 A	Obudowa dostawcy urządzenia 12-MTP
Moc - maks. 305 W	Bazowy numer produktu 50MT060