Name: VS-3C10ET12S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND
Price: 29.2863 PLN
Availability: InStock

Diody 1200 V 10A Montaż powierzchniowy TO-263AB (D2PAK)

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

VS-3C10ET12S2L-M3
Numer produktu DigiKey	112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 112-VS-3C10ET12S2L-M3CT-ND - Taśma cięta (CT) 112-VS-3C10ET12S2L-M3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numer produktu producenta	VS-3C10ET12S2L-M3
Opis	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO263AB
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 1200 V 10A Montaż powierzchniowy TO-263AB (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze	Prędkość Zerowy czas regeneracji > 500mA (Io)
Prod. Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Czas regeneracji wstecznej (trr) 0 ns
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Prąd - wsteczny upływowy przy Vr 60 µA @ 1200 V
Status części Aktywny	Pojemność przy Vr, F 38pF przy 800V, 1MHz
Technologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.) 1200 V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Prąd - średni wyprostowany (Io) 10A	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263AB (D2PAK)
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If 1.5 V @ 10 A	Temperatura robocza - złącze -55°C - 175°C