Name: SM8S33AHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: SM8S33AHE3_A/IGITR-ND
Price: 8.1057 PLN
Availability: InStock

53,3V Zacisk 124A Ipp TVS - diody Montaż powierzchniowy DO-218AB

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SM8S33AHE3_A/I
Numer produktu DigiKey	SM8S33AHE3_A/IGITR-ND - Taśma i szpula (TR) SM8S33AHE3_A/IGICT-ND - Taśma cięta (CT) SM8S33AHE3_A/IGIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numer produktu producenta	SM8S33AHE3_A/I
Opis	TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	53,3V Zacisk 124A Ipp TVS - diody Montaż powierzchniowy DO-218AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SM8S33AHE3_A/I Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Ochrona obwodów Ograniczniki przepięciowe (TVS) Diody TVS
Prod.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Seria	PAR®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ	Zener
Kanały jednokierunkowe	1
Napięcie - wsteczne robocze (typ.)	33V
Napięcie - przebicia (min.)	36,7V
Napięcie - progowe (maks.) przy Ipp	53,3V
Prąd - szczytowy impulsowy (10/1000µs)	124A
Moc - szczytowa impulsu	6600W (6,6kW)
Zabezpieczenie linii zasilającej	Brak
Zastosowania	-
Pojemność przy częstotliwości	-
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	DO-218AB
Obudowa dostawcy urządzenia	DO-218AB
Bazowy numer produktu	SM8S33