MBRB2545CTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Półprzewodniki dyskretne

MBRB2545CTHE3_B/I jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 3,24519 zł

Odpowiednik parametryczny

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 2,63200 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

MBRB2545CTHE3_B/I
Numer produktu DigiKey	112-MBRB2545CTHE3_B/ITR-ND - Taśma i szpula (TR) 112-MBRB2545CTHE3_B/ICT-ND - Taśma cięta (CT) 112-MBRB2545CTHE3_B/IDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numer produktu producenta	MBRB2545CTHE3_B/I
Opis	DIODE ARR SCHOTTKY 45V TO263AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Matryca diodowa 1 para, wspólna katoda 45 V 12,5A Montaż powierzchniowy TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Układy diod
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Konfiguracja diody	1 para, wspólna katoda
Technologia	Dioda Schottky'ego
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	45 V
Prąd - średni wyprostowany (Io) (na diodę)	12,5A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	820 mV @ 30 A
Prędkość	Szybkie odtworzenie stanu zdatności =< 500ns, > 200mA (Io)
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	200 µA @ 45 V
Temperatura robocza - złącze	-65°C - 150°C
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263AB (D2PAK)
Bazowy numer produktu	MBRB2545