ESH1BHE3_A/I jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,46672 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
W magazynie: 2 358
Cena jednostkowa : 2,55000 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,50874 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,50874 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Vishay General Semiconductor - Diodes Division
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,53945 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Taiwan Semiconductor Corporation
W magazynie: 15 000
Cena jednostkowa : 2,62000 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny


Taiwan Semiconductor Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Ilustracja dla ESH1BHE3_A/I jest niedostępna
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ESH1BHE3_A/I

Numer produktu DigiKey
ESH1BHE3_A/I-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Numer produktu producenta
ESH1BHE3_A/I
Opis
DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Standardowy czas realizacji przez producenta
10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Diody 100 V 1A Montaż powierzchniowy DO-214AC (SMA)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr
1 µA @ 100 V
Prod.
Pojemność przy Vr, F
25pF przy 4V, 1MHz
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Klasa
Motoryzacja
Status części
Aktywny
Kwalifikacja
AEC-Q101
Technologia
Typ mocowania
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)
100 V
Obudowa / skrzynia
Prąd - średni wyprostowany (Io)
1A
Obudowa dostawcy urządzenia
DO-214AC (SMA)
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If
900 mV @ 1 A
Temperatura robocza - złącze
-55°C - 175°C
Prędkość
Szybkie odtworzenie stanu zdatności =< 500ns, > 200mA (Io)
Bazowy numer produktu
Czas regeneracji wstecznej (trr)
25 ns
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
Zamienniki (7)
Numer katalogowyProducent Ilość dostępnaNumer produktu DigiKey Cena jednostkowa Rodzaj zamiennika
ESH1B-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes Division0ESH1B-E3/5AT-ND0,46672 złOdpowiednik parametryczny
ESH1B-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes Division2 358ESH1B-E3/61TGICT-ND2,55000 złOdpowiednik parametryczny
ESH1B-M3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes Division0ESH1B-M3/5AT-ND0,50874 złOdpowiednik parametryczny
ESH1B-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes Division0ESH1B-M3/61T-ND0,50874 złOdpowiednik parametryczny
ESH1BHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes Division0ESH1BHE3_A/H-ND0,53945 złOdpowiednik parametryczny
Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
7 5000,50432 zł3 782,40 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:0,50432 zł
Cena jednostkowa z VAT:0,62031 zł