Name: BYT54M-TAP
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: BYT54M-TAPGITB-ND
Price: 10.824 PLN
Availability: InStock

Diody 1000 V 1,25A Otwór przelotowy SOD-57

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BYT54M-TAP
Numer produktu DigiKey	BYT54M-TAPGICT-ND - Taśma cięta (CT) BYT54M-TAPGITB-ND - Taśma i skrzynka (TB)
Producent	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numer produktu producenta	BYT54M-TAP
Opis	DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 1000 V 1,25A Otwór przelotowy SOD-57
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze	Prędkość Szybkie odtworzenie stanu zdatności =< 500ns, > 200mA (Io)
Prod. Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Czas regeneracji wstecznej (trr) 100 ns
Opakowanie Taśma cięta (CT) Taśma i skrzynka (TB)	Prąd - wsteczny upływowy przy Vr 5 µA @ 1000 V
Status części Aktywny	Typ mocowania Otwór przelotowy
Technologia Lawina	Obudowa / skrzynia SOD-57, osiowe
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.) 1000 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOD-57
Prąd - średni wyprostowany (Io) 1,25A	Temperatura robocza - złącze -55°C - 175°C
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If 1.5 V @ 1 A	Bazowy numer produktu BYT54

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (6)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
BYT54M-TR	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	18 371	112-BYT54M-TRCT-ND	2,09000 zł	Odpowiednik parametryczny
EGP10K	onsemi	8 591	EGP10KCT-ND	0,55000 zł	Similar
MUR1100EG	onsemi	13 014	MUR1100EGOS-ND	1,06000 zł	Similar
MUR1100ERLG	onsemi	19 928	MUR1100ERLGOSCT-ND	0,97000 zł	Similar
MUR180EG	Rochester Electronics, LLC	105 547	2156-MUR180EG-OS-ND	0,16998 zł	Similar