Name: XPQ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 17.1339 PLN
Availability: InStock

Kanał N 40 V 200A (Ta) 230W (Tc) Montaż powierzchniowy L-TOGL™

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XPQ1R004PB,LXHQ
Numer produktu DigiKey	264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-XPQ1R004PBLXHQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-XPQ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	XPQ1R004PB,LXHQ
Opis	40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 200A (Ta) 230W (Tc) Montaż powierzchniowy L-TOGL™
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 84 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (maks.) ±20V
Seria U-MOSIX-H	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6890 pF @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 230W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza 175°C
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 200A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia L-TOGL™
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerBSFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1mOhm przy 100A, 10V	Bazowy numer produktu XPQ1R004
Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 500µA