Name: XPN12006NC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN12006NCL1XHQTR-ND
Price: 7.9704 PLN
Availability: InStock

Kanał N 60 V 20A 65W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XPN12006NC,L1XHQ
Numer produktu DigiKey	264-XPN12006NCL1XHQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-XPN12006NCL1XHQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-XPN12006NCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	XPN12006NC,L1XHQ
Opis	MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	52 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 20A 65W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	XPN12006NC,L1XHQ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20A
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 200µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1100 pF @ 10 V
Straty mocy (maks.)	65W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	XPN12006