Name: XPH4R10ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND
Price: 10.9101 PLN
Availability: InStock

Kanał N 100 V 70A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5)

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XPH4R10ANB,L1XHQ
Numer produktu DigiKey	264-XPH4R10ANBL1XHQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-XPH4R10ANBL1XHQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-XPH4R10ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	XPH4R10ANB,L1XHQ
Opis	MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 70A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	XPH4R10ANB,L1XHQ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 75 nC @ 10 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (maks.) ±20V
Seria U-MOSVIII-H	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4970 pF @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza 175°C
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 70A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOP Advance (5x5)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,1mOhm przy 35A, 10V	Bazowy numer produktu XPH4R10
Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 1mA