Kanał N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW083N65C,S1F

Numer produktu DigiKey
264-TW083N65CS1F-ND
Producent
Numer produktu producenta
TW083N65C,S1F
Opis
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Filtruj podobne produkty
Pokaż puste atrybuty
Kategoria
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 600µA
Prod.
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
28 nC @ 18 V
Opakowanie
Rurka
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Status części
Aktywny
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
873 pF @ 400 V
Typ FET
Straty mocy (maks.)
111W (Tc)
Technologia
Temperatura robocza
175°C
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
18V
Obudowa / skrzynia
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
113mOhm la 15A, 18V
Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów
Dodatkowe zasoby
W magazynie: 0
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
164,49000 zł64,49 zł
3039,90200 zł1 197,06 zł
12034,51900 zł4 142,28 zł
51032,40247 zł16 525,26 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:64,49000 zł
Cena jednostkowa z VAT:79,32270 zł