Name: TW030Z120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW030Z120C,S1F-ND
Price: 160.0353 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TW030Z120C,S1F
Numer produktu DigiKey	264-TW030Z120C,S1F-ND
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TW030Z120C,S1F
Opis	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 60A (Tc) 249W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4L(X)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	41mOhm przy 30A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 13mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	82 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2925 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	249W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-4L(X)
Obudowa / skrzynia	TO-247-4

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 80

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	130,11000 zł	130,11 zł
30	88,83300 zł	2 664,99 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.