Diody 650 V 4A Otwór przelotowy TO-220-2L
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TRS4E65H,S1Q

Numer produktu DigiKey
264-TRS4E65H,S1Q-ND
Producent
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta
TRS4E65H,S1Q
Opis
DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Diody 650 V 4A Otwór przelotowy TO-220-2L
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Technologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)
650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)
4A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If
1.35 V @ 4 A
Czas regeneracji wstecznej (trr)
0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr
55 µA @ 650 V
Pojemność przy Vr, F
263pF przy 1V, 1MHz
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia
TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220-2L
Temperatura robocza - złącze
175°C
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 11
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
19,75000 zł9,75 zł
504,37500 zł218,75 zł
1003,93140 zł393,14 zł
5003,78512 zł1 892,56 zł
1 0003,44194 zł3 441,94 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:9,75000 zł
Cena jednostkowa z VAT:11,99250 zł