Diody 650 V 3A Otwór przelotowy TO-220-2L
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TRS3E65H,S1Q

Numer produktu DigiKey
264-TRS3E65H,S1Q-ND
Producent
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta
TRS3E65H,S1Q
Opis
DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220L
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Diody 650 V 3A Otwór przelotowy TO-220-2L
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Technologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)
650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)
3A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If
1.35 V @ 3 A
Czas regeneracji wstecznej (trr)
0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr
45 µA @ 650 V
Pojemność przy Vr, F
199pF przy 1V, 1MHz
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia
TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220-2L
Temperatura robocza - złącze
175°C
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
17,79000 zł7,79 zł
503,63000 zł181,50 zł
1003,51210 zł351,21 zł
5003,27940 zł1 639,70 zł
1 0003,00890 zł3 008,90 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:7,79000 zł
Cena jednostkowa z VAT:9,58170 zł