Name: TRS10V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS10V65H,LQTR-ND
Price: 22.3983 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TRS10V65H,LQ
Numer produktu DigiKey	264-TRS10V65H,LQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TRS10V65H,LQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TRS10V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TRS10V65H,LQ
Opis	DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 650 V 10A Montaż powierzchniowy 4-DFN-EP (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze	Prędkość Zerowy czas regeneracji > 500mA (Io)
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Czas regeneracji wstecznej (trr) 0 ns
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Prąd - wsteczny upływowy przy Vr 100 µA @ 650 V
Status części Aktywny	Pojemność przy Vr, F 649pF przy 1V, 1MHz
Technologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.) 650 V	Obudowa / skrzynia 4-VSFN podkładka odsłonięta
Prąd - średni wyprostowany (Io) 10A	Obudowa dostawcy urządzenia 4-DFN-EP (8x8)
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If 1.35 V @ 10 A	Temperatura robocza - złącze 175°C