Name: TPWR8004PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPWR8004PLL1QTR-ND
Price: 17.7858 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPWR8004PL,L1Q
Numer produktu DigiKey	TPWR8004PLL1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) TPWR8004PLL1QCT-ND - Taśma cięta (CT) TPWR8004PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPWR8004PL,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 150A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DSOP Advance
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPWR8004PL,L1Q Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSIX-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	150A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,8mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9600 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura robocza	175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-DSOP Advance
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	TPWR8004