Name: TPWR8004PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPWR8004PLL1QTR-ND
Price: 18.6837 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPWR8004PL,L1Q
Numer produktu DigiKey	TPWR8004PLL1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) TPWR8004PLL1QCT-ND - Taśma cięta (CT) TPWR8004PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPWR8004PL,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 150A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DSOP Advance
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPWR8004PL,L1Q Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,4V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 103 nC @ 10 V
Seria U-MOSIX-H	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9600 pF @ 20 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1W (Ta), 170W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-DSOP Advance
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 150A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu TPWR8004
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 0,8mOhm przy 50A, 10V