Name: TPW4R50ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW4R50ANHL1QTR-ND
Price: 16.5189 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPW4R50ANH,L1Q
Numer produktu DigiKey	TPW4R50ANHL1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) TPW4R50ANHL1QCT-ND - Taśma cięta (CT) TPW4R50ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPW4R50ANH,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 92A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DSOP Advance
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPW4R50ANH,L1Q Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 58 nC @ 10 V
Seria U-MOSVIII-H	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5200 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-DSOP Advance
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 92A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu TPW4R50
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,5mOhm przy 46A, 10V