Name: TPW1R104PB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND
Price: 10.3074 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPW1R104PB,L1XHQ
Numer produktu DigiKey	264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TPW1R104PBL1XHQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TPW1R104PBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPW1R104PB,L1XHQ
Opis	MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 120A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DSOP Advance
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPW1R104PB,L1XHQ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSIX-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,14mOhm przy 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 500µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4560 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-DSOP Advance
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	TPW1R104