Name: TPN4R806PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN4R806PLL1QTR-ND
Price: 1.7343 USD
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPN4R806PL,L1Q
Numer produktu DigiKey	264-TPN4R806PLL1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TPN4R806PLL1QCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TPN4R806PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPN4R806PL,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPN4R806PL,L1Q Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSIX-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	72A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,5mOhm przy 36A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 300µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2770 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	630mW (Ta), 104W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	TPN4R806