Name: TPN1600ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1600ANHL1QTR-ND
Price: 6.2607 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPN1600ANH,L1Q
Numer produktu DigiKey	TPN1600ANHL1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) TPN1600ANHL1QCT-ND - Taśma cięta (CT) TPN1600ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPN1600ANH,L1Q
Opis	MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPN1600ANH,L1Q Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSVIII-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	17A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	16mOhm przy 8,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 200µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1600 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	700mW (Ta), 42W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	TPN1600