Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 10.5165 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPN1110ENH,L1Q
Numer produktu DigiKey	TPN1110ENHL1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - Taśma cięta (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPN1110ENH,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 7,2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPN1110ENH,L1Q Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 200µA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 7 nC @ 10 V
Seria U-MOSVIII-H	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 600 pF @ 100 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 700mW (Ta), 39W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 7,2A (Ta)	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu TPN1110
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 114mOhm przy 3,6A, 10V