Name: TPN11006PL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN11006PLLQTR-ND
Price: 5.5596 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPN11006PL,LQ
Numer produktu DigiKey	264-TPN11006PLLQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TPN11006PLLQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TPN11006PLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPN11006PL,LQ
Opis	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 26A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 200µA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 17 nC @ 10 V
Seria U-MOSIX-H	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1625 pF @ 30 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 610mW (Ta), 61W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 175°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 26A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu TPN11006
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 11.4mOhm przy 13A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 3 625

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)