Name: TPH2R70AR5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R70AR5LQTR-ND
Price: 6.9741 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPH2R70AR5,LQ
Numer produktu DigiKey	264-TPH2R70AR5LQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TPH2R70AR5LQCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TPH2R70AR5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPH2R70AR5,LQ
Opis	N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 22A (Ta), 190A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5,75)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	22A (Ta), 190A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	8V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,7mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5400 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 210W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOP Advance (5x5,75)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 8 975

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®