Name: TPH2R506PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R506PLL1QTR-ND
Price: 10.2951 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPH2R506PL,L1Q
Numer produktu DigiKey	TPH2R506PLL1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) TPH2R506PLL1QCT-ND - Taśma cięta (CT) TPH2R506PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPH2R506PL,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPH2R506PL,L1Q Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 500µA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 60 nC @ 10 V
Seria U-MOSIX-H	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5435 pF @ 30 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 132W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOP Advance (5x5)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 100A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu TPH2R506
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,4mOhm przy 30A, 4,5V