Kanał N 80 V 120A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPH2R408QM,L1Q

Numer produktu DigiKey
264-TPH2R408QML1QTR-ND - Taśma i szpula (TR)
264-TPH2R408QML1QCT-ND - Taśma cięta (CT)
264-TPH2R408QML1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta
TPH2R408QM,L1Q
Opis
MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 80 V 120A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
TPH2R408QM,L1Q Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Seria
U-MOSX-H
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
2,43mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
8300 pF @ 40 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
3W (Ta), 210W (Tc)
Temperatura robocza
175°C
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SOP Advance (5x5)
Obudowa / skrzynia
8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu
TPH2R408
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 365
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
18,64000 zł8,64 zł
105,54600 zł55,46 zł
1003,78640 zł378,64 zł
5003,03284 zł1 516,42 zł
1 0002,97801 zł2 978,01 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
5 0002,43302 zł12 165,10 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:8,64000 zł
Cena jednostkowa z VAT:10,62720 zł
Produkty zbliżoneZobacz wszystko
3 Pozycje
7443091100

7443091100

FIXED IND 1UH 34A 0.42 MOHM SMD

Würth Elektronik

10,75000 zł
7443783533330

7443783533330

FIXED IND 33UH 22A 9.9 MOHM TH

Würth Elektronik

49,11000 zł
885342211010

885342211010

CAP CER 2200PF 3000V X7R 1812

Würth Elektronik

3,50000 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
10 Pozycje
KC2016Z1.84320C15XXK

KC2016Z1.84320C15XXK

CLOCK OSCILLATOR,2.0X1.6X0.8MM S

KYOCERA AVX

4,54000 zł
5029

5029

PC TEST POINT MINIATURE

Keystone Electronics

1,25000 zł
NTCS0805E3103HLT

NTCS0805E3103HLT

THERMISTOR NTC 10KOHM 3430K 0805

Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components

1,75000 zł
TPH2R70AR5,LQ

TPH2R70AR5,LQ

N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1

Toshiba Semiconductor and Storage

5,54000 zł
TK125A60Z1,S4X

TK125A60Z1,S4X

N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,

Toshiba Semiconductor and Storage

13,25000 zł
TK024N60Z1,S1F

TK024N60Z1,S1F

N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V

Toshiba Semiconductor and Storage

54,75000 zł
TRS8E65H,S1Q

TRS8E65H,S1Q

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L

Toshiba Semiconductor and Storage

12,07000 zł
TPM1R908QM,LQ

TPM1R908QM,LQ

N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,

Toshiba Semiconductor and Storage

10,25000 zł
TK080N60Z1,S1F

TK080N60Z1,S1F

600V DTMOS6 TO-247 80MOHM

Toshiba Semiconductor and Storage

22,79000 zł
IAUC100N08S5N043ATMA1

IAUC100N08S5N043ATMA1

MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34

Infineon Technologies

9,29000 zł