Name: TPH2R306NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R306NHL1QTR-ND
Price: 11.8326 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPH2R306NH,L1Q
Numer produktu DigiKey	TPH2R306NHL1QTR-ND - Taśma i szpula (TR) TPH2R306NHL1QCT-ND - Taśma cięta (CT) TPH2R306NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPH2R306NH,L1Q
Opis	MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 60A (Tc) 1,6W (Ta), 78W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOP Advance (5x5)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPH2R306NH,L1Q Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 72 nC @ 10 V
Seria U-MOSVIII-H	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6100 pF @ 30 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,6W (Ta), 78W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOP Advance (5x5)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6,5V, 10V	Bazowy numer produktu TPH2R306
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,3mOhm przy 30A, 10V