Name: TPC8129,LQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPC8129,LQ(STR-ND
Price: 4.2804 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TPC8129,LQ(S
Numer produktu DigiKey	264-TPC8129,LQ(STR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-TPC8129,LQ(SCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-TPC8129,LQ(SDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TPC8129,LQ(S
Opis	MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 9A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TPC8129,LQ(S Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSVI
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	22mOhm przy 4,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 200µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+20V, -25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1650 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOP
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	TPC8129