


TK8Q65W,S1Q | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | TK8Q65WS1Q-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TK8Q65W,S1Q |
Opis | MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 7,8A (Ta) 80W (Tc) Otwór przelotowy IPAK |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | TK8Q65W,S1Q Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 300µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 16 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 570 pF @ 300 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 80W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia IPAK |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 670mOhm przy 3,9A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 11,02000 zł | 11,02 zł |
| 75 | 5,12813 zł | 384,61 zł |
| 150 | 4,63980 zł | 695,97 zł |
| 525 | 3,94455 zł | 2 070,89 zł |
| 1 050 | 3,64374 zł | 3 825,93 zł |
| 2 025 | 3,40305 zł | 6 891,18 zł |
| 5 025 | 3,12909 zł | 15 723,68 zł |
| 10 050 | 3,09258 zł | 31 080,43 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 11,02000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 13,55460 zł |

