TK370A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK370A60F,S4X(S
Numer produktu DigiKey	264-TK370A60FS4X(S-ND
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TK370A60F,S4X(S
Opis	MOSFET N-CH
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 15A (Ta) 45W (Tc) Otwór przelotowy TO-220SIS
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSIX
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	370mOhm przy 7,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 2,04mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2200 pF @ 300 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	45W (Tc)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220SIS
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Manufacturer Quote Required

This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.

Zaloguj lub zarejestruj się, aby poprosić o wycenę