
TK35E08N1,S1X | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 264-TK35E08N1,S1X-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TK35E08N1,S1X |
Opis | MOSFET N-CH 80V 55A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 80 V 55A (Tc) 72W (Tc) Otwór przelotowy TO-220 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | TK35E08N1,S1X Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 300µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 25 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±20V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1700 pF @ 40 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 72W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 12,2mOhm przy 17,5A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP12CN10LGXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 83 240 | 2156-IPP12CN10LGXKSA1-ND | 3,94989 zł | Similar |
| IRF8010PBF | Infineon Technologies | 514 | IRF8010PBF-ND | 11,02000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,58000 zł | 7,58 zł |
| 50 | 3,65180 zł | 182,59 zł |
| 100 | 3,26800 zł | 326,80 zł |
| 500 | 2,59386 zł | 1 296,93 zł |
| 1 000 | 2,37707 zł | 2 377,07 zł |
| 2 000 | 2,19475 zł | 4 389,50 zł |
| 5 000 | 1,99753 zł | 9 987,65 zł |
| 10 000 | 1,87573 zł | 18 757,30 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,58000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,32340 zł |

