Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 34.0095 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TK31V60X,LQ
Numer produktu DigiKey	TK31V60XLQTR-ND - Taśma i szpula (TR) TK31V60XLQCT-ND - Taśma cięta (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TK31V60X,LQ
Opis	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 30,8A (Ta) 240W (Tc) Montaż powierzchniowy 4-DFN-EP (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TK31V60X,LQ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 1,5mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 65 nC @ 10 V
Seria DTMOSIV-H	Vgs (maks.) ±30V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3000 pF @ 300 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 240W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Obudowa dostawcy urządzenia 4-DFN-EP (8x8)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30,8A (Ta)	Obudowa / skrzynia 4-VSFN podkładka odsłonięta
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu TK31V60
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 98mOhm przy 9,4A, 10V