Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 32.4105 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

TK31V60X,LQ
Numer produktu DigiKey	TK31V60XLQTR-ND - Taśma i szpula (TR) TK31V60XLQCT-ND - Taśma cięta (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TK31V60X,LQ
Opis	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 30,8A (Ta) 240W (Tc) Montaż powierzchniowy 4-DFN-EP (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TK31V60X,LQ Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	DTMOSIV-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30,8A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	98mOhm przy 9,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 1,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3000 pF @ 300 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	240W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	4-DFN-EP (8x8)
Obudowa / skrzynia	4-VSFN podkładka odsłonięta
Bazowy numer produktu	TK31V60

Cena jednostkowa bez VAT:	26,35000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	32,41050 zł

TK31V60X,LQ