Name: TK17N65W,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK17N65WS1F-ND
Price: 24.6738 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

TK17N65W,S1F
Numer produktu DigiKey	TK17N65WS1F-ND
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	TK17N65W,S1F
Opis	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 17,3A (Ta) 165W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	TK17N65W,S1F Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	DTMOSIV
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	17,3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	200mOhm przy 8,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 900µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1800 pF @ 300 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	165W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	TK17N65

Cena jednostkowa bez VAT:	20,06000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	24,67380 zł

TK17N65W,S1F