Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

TK17N65W,S1F | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | TK17N65WS1F-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TK17N65W,S1F |
Opis | MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 17,3A (Ta) 165W (Tc) Otwór przelotowy TO-247 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | TK17N65W,S1F Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 900µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 45 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1800 pF @ 300 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 165W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 200mOhm przy 8,7A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | 74 | IPW60R160P6FKSA1-ND | 16,98000 zł | Similar |
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | 13,90000 zł | Similar |
| IXFH22N65X2 | IXYS | 5 042 | 238-IXFH22N65X2-ND | 33,00000 zł | Similar |
| IXFR48N60Q3 | IXYS | 0 | IXFR48N60Q3-ND | 102,25880 zł | Similar |
| SIHG21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG21N65EF-GE3-ND | 10,67258 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 21,69000 zł | 21,69 zł |
| 30 | 12,25067 zł | 367,52 zł |
| 120 | 10,16942 zł | 1 220,33 zł |
| 510 | 8,64369 zł | 4 408,28 zł |
| 1 020 | 8,08701 zł | 8 248,75 zł |
| 2 010 | 7,74266 zł | 15 562,75 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 21,69000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 26,67870 zł |









