
TK100E10N1,S1X | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | TK100E10N1S1X-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | TK100E10N1,S1X |
Opis | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 100A (Ta) 255W (Tc) Otwór przelotowy TO-220 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | TK100E10N1,S1X Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 3,4mOhm przy 50A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 1mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 140 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 8800 pF @ 50 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 255W (Tc) | |
Temperatura robocza | 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 20,53000 zł | 20,53 zł |
| 50 | 10,80140 zł | 540,07 zł |
| 100 | 9,86260 zł | 986,26 zł |
| 500 | 8,21890 zł | 4 109,45 zł |
| 1 000 | 8,13893 zł | 8 138,93 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 20,53000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 25,25190 zł |



